Silizium-Halbleitertechnologie - download pdf or read online

By Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann (auth.)

ISBN-10: 3519001497

ISBN-13: 9783519001492

ISBN-10: 3663058530

ISBN-13: 9783663058533

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Die vorliegende Dissertation entstand wahrend meiner Tatig keit als wissenschaftlicher Mitarbeiter am Fraunhofer - In stitut fur Produktionstechnik und Automatisierung (IPA) in Stuttgart. Herrn Professor Dr. -Ing. H. -J. Warnecke, dem Direktor des IPA und Leiter des Instituts fur Industrielle Fertigung und Fabrikbetrieb der Universitat Stuttgart, bin ich fur seine wohlwollende Unterstutzung und Forderung sowie fur die wertvollen Hinweise zu der Arbeit zu grossem Dank ver pflichtet.

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2 Oberflächenbehandlung Die gesägten Scheiben weisen eine rauhe Oberfläche auf, außerdem sind durch die mechanische Belastung Gitterschäden im Kristall entstanden. Bei der Oberflächenbehandlung wird die zerstörte Oberflächenschicht der Siliziumscheibe bis auf das ungestörte Kristallgitter abgetragen und das Halbleitermaterial auf die vorgegebene Dicke zurückgeätzt. Anschließend erfolgt die Politur der Kristalloberfläche. Dazu werden verschiedene mechanische und chemische Methoden eingesetzt. 1 Läppen Mit Hilfe eines Gemisches aus Glyzerin und Aluminiumoxid bzw.

1) Diese Reaktion läuft typischerweise bei einer Prozeßtemperatur von 1000°C - 1200°C ab. Tiefere Temperaturen um 800°C werden zur reproduzierbaren Erzeugung von elektrisch stark belasteten, extrem dünnen Oxiden, z. B. Tunneloxide eingesetzt. Die trockene Oxidation weist allerdings nur eine geringe Oxidationsrate auf, d. h. es lassen sich nur dünne Oxidschichten in vertretbarer Zeit herstellen. Die entstehenden Oxidfilme weisen eine hohe Durchbruchspannung und eine hohe Dichte auf. B. für das Gateoxid der MOS-Transistoren, eingesetzt.

Der Sauerstoff reagiert mit dem Silizium des Substrates zu Si02, so daß eine amorphe glasartige Schicht an der Oberfläche der Siliziumscheibe entsteht. Die thermische Oxidation läßt sich in die trockene und die feuchte Oxidation aufteilen, wobei die feuchte Oxidation erneut in die nasse Oxidation und die H20 2-Verbrennung aufgespalten werden kann. 1). Die Temperatur im Quarzrohr wird im Bereich der Siliziumscheiben auf ca. +/- 0,5°C konstant gehalten, die Temperaturmessung erfolgt über Thermoelemente.

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Silizium-Halbleitertechnologie by Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann (auth.)


by Robert
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